IXFH90N65X3

IXYS
747-IXFH90N65X3
IXFH90N65X3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

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IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
90 A
33 mOhms
- 20 V, 20 V
5.2 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
960 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 38 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 11 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 63 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 28 ns
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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Existencias:
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