IQEH54NE2LM7UCGATMA1

Infineon Technologies
726-IQEH54NE2LM7UCGA
IQEH54NE2LM7UCGATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Ciclo de vida:
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
$1.21 $6,050.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
25 V
406 A
540 uOhms
16 V
2 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 55 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 2 ns
Serie: OptiMOS 7
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 29 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
Alias de las piezas n.º: IQEH54NE2LM7UCG SP005927093
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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