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IPD220N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD220N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD220N06L3GATM1
Price: 1.53 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD220N06L3GATM1

Fabricante N.º:

IPD220N06L3GATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos:

IPD220N06L3GATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$0.967	$9.67
	$0.641	$64.10
	$0.506	$253.00
	$0.459	$459.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.395	$987.50
	$0.35	$1,750.00
	$0.341	$3,410.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	22 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	36 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD220N06L3 G SP005559927

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MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies cuentan con un bajo nivel de resistencia en estado conductor en un paquete SuperSO8 libre de plomo. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia en hasta un 50 % en los sectores industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible en MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). Con respecto a los paquetes estándar Transistor Outline (TO), los SuperSO8 aumentan la densidad de potencia hasta un 50 %.