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IPD048N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD048N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-PD048N06L3GATMA1
Price: 2.37 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-PD048N06L3GATMA1

Fabricante N.º:

IPD048N06L3GATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos:

IPD048N06L3GATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.37	$2.37
	$1.55	$15.50
	$1.04	$104.00
	$0.823	$411.50
	$0.759	$759.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.657	$1,642.50
	$0.62	$3,100.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	37 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	115 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	125 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	XPD048N06
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	56 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	IPD048N06L3 G SP005559924

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MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies cuentan con un bajo nivel de resistencia en estado conductor en un paquete SuperSO8 libre de plomo. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia en hasta un 50 % en los sectores industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible en MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). Con respecto a los paquetes estándar Transistor Outline (TO), los SuperSO8 aumentan la densidad de potencia hasta un 50 %.