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HP8KF7HTB1

Name: ROHM Semiconductor HP8KF7HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HP8KF7HTB1
Price: 4.91 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-HP8KF7HTB1

Fabricante N.º:

HP8KF7HTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A

Ciclo de vida:

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	$2.38	$238.00
	$2.12	$1,060.00
	$2.07	$2,070.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.76	$4,400.00
	$1.74	$8,700.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	19 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7.1 S
Id - Corriente de drenaje continua:	18.5 A
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Número de canales:	2 Channel
Paquete / Cubierta:	HSOP-8
Dp - Disipación de potencia :	26 W
Tipo de producto:	MOSFETs
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	62 mOhms
Tiempo de subida:	11 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	24 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.