HAS530M12BM3

Wolfspeed
941-HAS530M12BM3
HAS530M12BM3

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Wolfspeed
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
Half Bridge Modules
Half Bridge
SiC
2 V
800 V
- 8 V, + 19 V
105 mm x 62 mm x 31 mm
- 40 C
+ 150 C
Marca: Wolfspeed
Configuración: Half Bridge
Id - Corriente de drenaje continua: 630 A
Dp - Disipación de potencia : 2 kW
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 3.47 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
MXHTS:
8541299900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

HAS Harsh Environment SiC Half-Bridge Modules

Wolfspeed HAS Harsh Environment Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules provide the system benefits of SiC while maintaining the robust, industry-standard 62mm module package. The internal design, due to the low-inductance layout, enables high-speed SiC switching benefits and increased system efficiency. The Wolfspeed HAS modules are a perfect fit for high-frequency industrial applications such as induction heating, rail/traction, motor drives, and EV charging infrastructures.

62mm Silicon Carbide Half-Bridge Modules

Wolfspeed 1200V and 1700V 62mm Silicon Carbide (SiC) Half-Bridge Modules combine the system benefits of SiC with a robust and low-inductance layout. The half-bridge modules feature increased system efficiency due to SiC's low switching and conduction losses. These power modules include a low-inductance internal layout, enabling maximum voltage utilization with minimal overshoot and ringing. The half-bridge modules are chosen from aluminum nitride ceramic for reduced thermal resistance with robust CTE matching and silicon nitride ceramic for sustained maximum junction temperature operation.

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