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GCMX080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080B120S1-E1
Price: 27.78 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GCMX080B120S1-E1

Fabricante N.º:

GCMX080B120S1-E1

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227

Hoja de datos:

GCMX080B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	77 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	142 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
If - Corriente directa:	10 A
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	High Speed Switching
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Vf - Tensión directa:	3.8 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Hoja de datos

GCMX080B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.