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GCMX005A120S3B1-N

Name: SemiQ GCMX005A120S3B1-N
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120S3B1N
Price: 252.64 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

148-GCMX005A120S3B1N

Fabricante N.º:

GCMX005A120S3B1-N

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

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Hoja de datos:

GCMX005A120S3B1-N Hoja de datos (PDF)

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105	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	S3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	424 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.531 kW
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Bulk
Marca:	SemiQ
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	24 ns
Altura:	30.9 mm
Longitud:	106.4 mm
Producto:	Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	15
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Half Bridge Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	114 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	65 ns
Vf - Tensión directa:	4 V
Ancho:	61.4 mm

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Hoja de datos

GCMX005A120S3B1-N Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Módulos de medio puente MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de medio puente MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de medio puente GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).