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FS410R12A7P1BHPSA1

Name: Infineon FS410R12A7P1BHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS410R12A7P1BHPS
Price: 528.28 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-FS410R12A7P1BHPS

Fabricante N.º:

FS410R12A7P1BHPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos MOSFET HybridPACK Drive G2 module

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

FS410R12A7P1BHPSA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	HybridPACK
Polaridad del transistor:	N-Channel
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	775 W
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tiempo de caída:	77 ns
Producto:	MOSFET Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	46 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	6
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tiempo de retardo de apagado típico:	466 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	107 ns
Vf - Tensión directa:	1.68 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Alias de las piezas n.º:	FS410R12A7P1B SP005675819

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Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: Alemania
País de difusión:: Austria

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.