FFSH4065BDN-F085

onsemi
863-FFSH4065BDN-F085
FFSH4065BDN-F085

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 650V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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$9.84 $98.40
$9.00 $1,080.00
$8.68 $8,853.60
2,520 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
40 A
650 V
1.38 V
84 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH4065BDN-F085
AEC-Q101
Tube
Marca: onsemi
Dp - Disipación de potencia : 127 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: EliteSiC
Vr - Tensión inversa: 650 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSPx065BDN-F085 Automotive SiC Schottky Diodes

onsemi FFSPx065BDN-F085 Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are AEC-Q101-qualified devices designed to leverage the advantages of Silicon Carbide (Si) over Silicon. The FFSPx065BDN-F085 SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also offer temperature-independent switching and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size/cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

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