FDMS86263P Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
Hoja de datos
12,186En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 P-Channel 1 Channel 150 V 22 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PQFN-8 P-Channel 1 Channel 150 V 22 A 53 mOhms 25 V 4 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel