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FDMS86101DC

Name: onsemi FDMS86101DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86101DC
Price: 6.83 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMS86101DC

Fabricante N.º:

FDMS86101DC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86101DC Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$6.83	$6.83
	$4.55	$45.50
	$3.25	$325.00
	$3.12	$1,560.00
	$2.81	$2,810.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$2.54	$7,620.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DualCool-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	44 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86101DC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	90 mg

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PCN

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Dual Cool™ MOSFETs

onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.

N-Channel Dual Cool PowerTrench® MOSFET

The FDMS86101DC and FMDS83500DC N-Channel Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest R_DS(ON) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. Typical applications for these items include primary DC-DC MOSFET, secondary synchronous rectifier, load switch, telecom secondary side rectification and high end server/workstation Vcore low side.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.