DMN53D0LDW-7

Diodes Incorporated
621-DMN53D0LDW-7
DMN53D0LDW-7

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Modelo ECAD:
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En existencias: 3,237

Existencias:
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27,000
Se espera el 21/08/2026
33,000
Se espera el 19/02/2027
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40
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Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.429 $0.43
$0.263 $2.63
$0.165 $16.50
$0.122 $61.00
$0.108 $108.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.065 $195.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 11 ns, 11 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 2.5 ns, 2.5 ns
Serie: DMN53
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns, 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 2.7 ns, 2.7 ns
Peso de la unidad: 7.500 mg
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
MXHTS:
85412101
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.