CG2H40025F

MACOM
941-CG2H40025F
CG2H40025F

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Screw Mount
440166
N-Channel
120 V
3 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 150 C
6 GHz
0 Hz
GaN
Marca: MACOM
Ganancia: 15 dB
Potencia de salida: 25 W
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 40
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente: - 10 V, 2 V
Peso de la unidad: 10.566 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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Códigos de cumplimiento
MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.

En existencias: 420

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420
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Se espera el 26/10/2026
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