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BSM600D12P4G103

Name: ROHM Semiconductor BSM600D12P4G103
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM600D12P4G103
Price: 1528.19 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-BSM600D12P4G103

Fabricante N.º:

BSM600D12P4G103

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Hoja de datos:

BSM600D12P4G103 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	567 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.78 kW
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	90 ns
Longitud:	152 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	110 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	435 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	135 ns
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Ancho:	62 mm

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Hoja de datos

BSM600D12P4G103 Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.