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BFU590QX

Name: NXP BFU590QX
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU590QX
Price: 2.29 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BFU590QX

Fabricante N.º:

BFU590QX

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.29	$2.29
	$1.46	$14.60
	$0.969	$96.90
	$0.793	$396.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$0.631	$631.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Serie:	BFU590Q
Tipo de transistor:	Bipolar Wideband
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	NPN
Frecuencia de trabajo:	8 GHz
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	60
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	12 V
Voltaje VEBO emisor-base:	2 V
Corriente continua del colector:	200 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-89-3
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	NXP Semiconductors
Corriente CC máxima de colector:	300 mA
Potencia de salida:	22 dBm
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934067977115
Peso de la unidad:	40.337 mg

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Hoja de datos

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PCN

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors

NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors are AEC-Q101 qualified, low noise, high breakdown RF transistors suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Offering exceptional performance, BFU5x RF Transistors generate 20dB of maximum gain and a noise figure of 0.7dB at 900MHz. These devices allow for better signal reception at low to medium power and enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments. When used as (low-noise) amplifiers or oscillators, BFU5x RF Transistors support high supply voltages and high breakdown voltages. This makes these devices well-suited for automotive, communication, and industrial applications. The product family is available in a wide range of industry-standard packages, including SOT323, SOT23, and SOT143.