T2G4005528-FS

Qorvo
772-T2G4005528-FS
T2G4005528-FS

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
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Precio (USD)

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$338.46 $33,846.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
NI-360
N-Channel
Marca: Qorvo
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Ganancia: 16 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 3.5 GHz
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 55 W
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: T2G4005528
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: HEMT
Tipo: GaN SiC HEMT
Alias de las piezas n.º: T2G4005528 1099993
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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MXHTS:
8542330201
CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
ECCN:
EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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