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AA4040P3C-P22

Name: Kingbright AA4040P3C-P22
Brand: Kingbright
SKU: 604-AA4040P3C-P22
Price: 0.78 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

604-AA4040P3C-P22

Fabricante N.º:

AA4040P3C-P22

Fabricante:

Kingbright

Descripción:

Fototransistores 4x4mm PHOTOTRANS RA SMD LED

Hoja de datos:

AA4040P3C-P22 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.78	$0.78
	$0.54	$5.40
	$0.395	$39.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	$0.324	$162.00
	$0.291	$291.00
	$0.267	$667.50
	$0.26	$1,300.00
	$0.244	$2,440.00
	$0.234	$5,850.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Kingbright
Categoría de producto:	Fototransistores
RoHS:
Producto:	Phototransistors
Paquete / Cubierta:	SMD-2
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Máxima corriente activada de colector:	600 uA
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	30 V
Tensión de disparo colector-emisor:	30 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	800 mV
Corriente oscura:	100 nA
Tiempo de subida:	15 us
Tiempo de caída:	15 us
Dp - Disipación de potencia :	100 mW (1/10 W)
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	Kingbright
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	Phototransistors
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Optical Detectors & Sensors
Tipo:	NPN
Longitud de onda:	940 nm
Alias de las piezas n.º:	KA-4040P3C
Peso de la unidad:	76.657 mg

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ECCN:: EAR99

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Kingbright NPN Si Phototransistors are made with NPN silicon phototransistor chips. These phototransistors are mechanically and spectrally matched to infrared-emitting LED lamps. The NPN Si phototransistors operate at a temperature range from -40°C to +85°C. These phototransistors feature a maximum collector-to-emitter voltage of 30V and an emitter-to-collector voltage of 5V. Typical applications include infrared applied systems, optoelectronic switches, and photodetector control circuits.

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