HGTP10N120BN

512-HGTP10N120BN
HGTP10N120BN

Fabricante:

Descripción:
IGBTs 35A 1200V N-Ch

Ciclo de vida:
Obsoleto
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBTs
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.45 V
- 20 V, 20 V
35 A
298 W
- 55 C
+ 150 C
HGTP10N120BN
Tube
Marca: onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector: 35 A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/- 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: IGBTs
Alias de las piezas n.º: HGTP10N120BN_NL
Peso de la unidad: 1.800 g
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
85412999
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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