FOD8333V

onsemi
512-FOD8333V
FOD8333V

Fabricante:

Descripción:
Optoacopladores de salida MOSFET SO16 LED 25A GD VDE

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 1,215

Existencias:
1,215 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 1215 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$8.13 $8.13
$8.10 $81.00
$5.19 $259.50
$4.90 $490.00
$4.11 $1,027.50
$3.84 $1,920.00
$3.82 $3,820.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Optoacopladores de salida MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
SOIC-16
Open Collector
2 Channel
4243 Vrms
25 mA
1.45 V
5 V
600 mW
- 40 C
+ 100 C
FOD8333
Tube
Marca: onsemi
Tiempo de caída: 50 ns
Tipo de producto: MOSFET Output Optocouplers
Tiempo de subida: 50 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Optocouplers
Peso de la unidad: 758 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490020
USHTS:
8541498000
KRHTS:
8541409029
TARIC:
8541409000
ECCN:
EAR99

FOD8333 Output Current IGBT Drive Optocouplers

onsemi's FOD8333 2.5A Output Current IGBT Drive Optocouplers are an advanced 2.5A output current IGBT drive optocoupler capable of driving medium-power IGBTs with ratings up to 1200V and 150A. They are suited for fast-switching driving of power IGBTs and MOSFETs in motor-control inverter applications and high-performance power systems. The onsemi FOD8333 offers protection features necessary for preventing fault conditions that lead to destructive thermal runaway of IGBTs.