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FFSH50120A

Name: onsemi FFSH50120A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH50120A
Price: 28.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FFSH50120A

Fabricante N.º:

FFSH50120A

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 1200V 10A SIC SBD

Hoja de datos:

FFSH50120A Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	50 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.45 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	280 A
Ir - Corriente inversa:	200 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSH50120A
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	736 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Peso de la unidad:	5.321 g

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Hoja de datos

FFSH50120A Hoja de datos

PCN

MXHTS:: 8541100101
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
ECCN:: EAR99

FFSH SiC Schottky Diodes

onsemi FFSH Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved system efficiency and have a max junction temperature of +175°C. These onsemi Schottky Diodes have no switching loss and a high surge current capacity. FFSH diodes use Silicon Carbide semiconductor material for higher operating frequency, increasing power density and reduction of system size/cost. This ensures high reliability and robust operation during surge or over-voltage conditions.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.