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TK7R2E15Q5,S1X

Name: Toshiba TK7R2E15Q5,S1X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK7R2E15Q5S1X
Price: 4.88 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK7R2E15Q5S1X

Fabricante N.º:

TK7R2E15Q5,S1X

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

TK7R2E15Q5,S1X Hoja de datos (PDF)

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	$4.88	$4.88
	$2.83	$28.30
	$2.59	$259.00
	$2.29	$1,145.00
	$2.18	$2,180.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	84 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	66 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	230 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	66 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	66 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	96 ns

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TK7R2E15Q5,S1X Hoja de datos (PDF)

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.