TK3A60DA(STA4,Q,M)
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757-TK3A60DASTA4QM
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm
Hoja de datos:
En existencias: 51
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.12 | $2.12 | |
| $1.05 | $10.50 | |
| $0.846 | $84.60 | |
| $0.716 | $358.00 | |
| $0.615 | $615.00 | |
| $0.614 | $1,535.00 | |
| $0.567 | $2,835.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
- MXHTS:
- 85412999
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
