MT3S113TU,LF

Toshiba
757-MT3S113TULF
MT3S113TU,LF

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$0.754 $0.75
$0.605 $6.05
$0.523 $52.30
$0.501 $250.50
$0.48 $480.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.395 $1,185.00
$0.367 $2,202.00
$0.342 $3,078.00
$0.337 $8,088.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
MT3S113TU
Bipolar
SiGe
NPN
11.2 GHz
200
5.3 V
600 mV
100 mA
+ 150 C
Single
SMD/SMT
UFM-3
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Corriente CC máxima de colector: 100 mA
Dp - Disipación de potencia : 900 mW
Tipo de producto: RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
ECCN:
EAR99