DRV8300DPWR

Texas Instruments
595-DRV8300DPWR
DRV8300DPWR

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

Modelo ECAD:
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En existencias: 8,725

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.42 $1.42
$1.02 $10.20
$0.926 $23.15
$0.816 $81.60
$0.764 $191.00
$0.706 $353.00
$0.641 $641.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.611 $1,833.00
$0.515 $3,090.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
TSSOP-20
3 Driver
6 Output
750 mA
5 V
20 V
Non-Inverting
24 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
DRV8300
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Kit de desarrollo: DRV8300DIPW-EVM
Tipo lógico: CMOS
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 180 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: Si
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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MXHTS:
8542399999
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers

Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 3-Phase Gate Drivers provide three half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300D/DRV8300D-Q1 generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. The DRV8300N generates the correct gate drive voltages using an external bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Texas Instruments DRV8300/DRV8300-Q1 gate drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.