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CSD18537NKCS

Name: Texas Instruments CSD18537NKCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18537NKCS
Price: 2.21 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD18537NKCS

Fabricante N.º:

CSD18537NKCS

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

Hoja de datos:

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	$0.741	$370.50
	$0.623	$623.00
	$0.564	$2,820.00
	$0.546	$5,460.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	56 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	94 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	100 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.2 ns
Serie:	CSD18537NKCS
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.5 ns
Peso de la unidad:	2 g

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MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.