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CSD13381F4T

Name: Texas Instruments CSD13381F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13381F4T
Price: 0.53 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD13381F4T

Fabricante N.º:

CSD13381F4T

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.533	$0.53
	$0.489	$4.89
	$0.446	$44.60
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$0.446	$111.50
	$0.417	$208.50
	$0.394	$394.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD13381F4

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$0.47

Mín.:

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Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD13381F4

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PICOSTAR-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	180 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	850 mV
Qg - Carga de puerta:	1.06 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	3.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.5 ns
Serie:	CSD13381F4
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	11 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.7 ns
Peso de la unidad:	0.400 mg

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PCN

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.