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S34ML04G200BHI000

Name: SkyHigh Memory S34ML04G200BHI000
Brand: SkyHigh Memory
SKU: 797-34ML04G200BHI000
Price: 8.09 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

797-34ML04G200BHI000

Fabricante N.º:

S34ML04G200BHI000

Fabricante:

SkyHigh Memory

Descripción:

Memoria flash tipo NAND SLC,4Gb,3x,3V,x8,4bit,VBM63,

Hoja de datos:

S34ML04G200BHI000 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SkyHigh Memory
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NAND
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	BGA-63
Serie:	S34ML04G2
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Tipo de interfaz:	Parallel
Organización:	512 M x 8
Tipo de tiempo:	Asynchronous
Ancho de bus de datos:	8 bit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro - Máx.:	35 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Corriente de lectura activa - máx.:	30 mA
Marca:	SkyHigh Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NAND Flash
Cantidad de empaque de fábrica:	210
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	15.187 g

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SkyHigh Memory S34SML0xG2 Spansion SLC NAND Flash Memory is offered with 3.3V_CC or V_CCQ power supplies and with either an x8 or x16 I/O interface. The S34SML0xG2 has a cost-effective NAND cell for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks so valid data can be preserved while old data is erased independently.

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.