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STGW80H65DFB

Name: STMicroelectronics STGW80H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW80H65DFB
Price: 7.85 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGW80H65DFB

Fabricante N.º:

STGW80H65DFB

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	120 A
Dp - Disipación de potencia :	469 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGW80H65DFB
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	80 A
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	38 g

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MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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