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STGP5H60DF

Name: STMicroelectronics STGP5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP5H60DF
Price: 2.72 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGP5H60DF

Fabricante N.º:

STGP5H60DF

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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	$1.31	$13.10
	$1.17	$117.00
	$0.93	$465.00
	$0.85	$850.00
	$0.802	$1,604.00
	$0.757	$3,785.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	10 A
Dp - Disipación de potencia :	88 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGP5H60DF
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	10 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.