STGP4M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP4M65DF2
STGP4M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench Gate IGBT M Series 650V 4A

Modelo ECAD:
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En pedido:
1,913
Se espera el 05/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.94 $1.94
$0.927 $9.27
$0.826 $82.60
$0.647 $323.50
$0.589 $589.00
$0.541 $1,082.00
$0.529 $2,645.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
8 A
68 W
- 55 C
+ 175 C
STGP4M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 8 A
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 1.800 g
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Atributos seleccionados: 0

MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99