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RH6R040CHTB1

Name: ROHM Semiconductor RH6R040CHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH6R040CHTB1
Price: 2.74 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RH6R040CHTB1

Fabricante N.º:

RH6R040CHTB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

Ciclo de vida:

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	$0.885	$885.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.77	$2,310.00
	$0.736	$4,416.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	38 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	11.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	93 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.