QPD0020

Qorvo
772-QPD0020
QPD0020

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
QPD0020
GaN Si
2.6 GHz to 2.69 GHz
Single
SMD/SMT
QFN-20
Reel
Cut Tape
Marca: Qorvo
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 34.7 W
Dp - Disipación de potencia : 29 dBm
Tipo de producto: RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: RF Transistors
Alias de las piezas n.º: QPD0020SR
Peso de la unidad: 1.430 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

MXHTS:
8541299900
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

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