MC33GD3100BEKR2

NXP Semiconductors
771-MC33GD3100BEKR2
MC33GD3100BEKR2

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
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N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Tube
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$13.72
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
NXP
Categoría de producto: Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:  
GD3100
SMD/SMT
WSOIC-32
1 Channel
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marca: NXP Semiconductors
Kit de desarrollo: FRDMGD3100HB8EVM
Sensibles a la humedad: Yes
Producto: IGBT, SiC Gate Driver
Tipo de producto: Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 500 mohms
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.: 40 V
Voltaje de alimentación - Mín.: 5 V
Tecnología: SiC
Tipo: Single Channel Gate Driver
Alias de las piezas n.º: 935444121518
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USHTS:
8542390070

MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers

NXP Semiconductors MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are single-channel gate drivers for insulated-gate bipolar transistors (IGBT) and Silicon Carbide (SiC) power devices. The NXP MC33GD3100 Gate Drivers feature advanced functional safety, control, and protection features, making it ideal for automotive and EV powertrain applications (fully AEC-Q100 grade 1 qualified). Integrated galvanic isolation and low on-resistance drive transistors provide high charging and discharging current, low dynamic saturation voltage, and rail-to-rail gate voltage control. Current and temperature sense minimizes IGBT stress during faults. Accurate and configurable under-voltage lockout (UVLO) protects while ensuring sufficient gate drive voltage headroom.