MC33GD3100B3EK

NXP Semiconductors
771-MC33GD3100B3EK
MC33GD3100B3EK

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters

Modelo ECAD:
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En existencias: 80

Existencias:
80 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$13.09 $13.09
$10.21 $102.10
$9.04 $226.00
$8.07 $677.88
$7.79 $1,963.08
$7.46 $3,759.84
2,520 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
NXP
Categoría de producto: Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:  
GD3100
SMD/SMT
WSOIC-32
1 Channel
- 40 C
+ 125 C
Tube
Marca: NXP Semiconductors
Kit de desarrollo: FRDMGD3100HB8EVM
Sensibles a la humedad: Yes
Producto: IGBT, SiC Gate Driver
Tipo de producto: Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 500 mohms
Cantidad de empaque de fábrica: 42
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.: 40 V
Voltaje de alimentación - Mín.: 5 V
Tecnología: SiC
Tipo: Single Channel Gate Driver
Alias de las piezas n.º: 935444484574
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Atributos seleccionados: 0

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MXHTS:
8542399999
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers

NXP Semiconductors MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are single-channel gate drivers for insulated-gate bipolar transistors (IGBT) and Silicon Carbide (SiC) power devices. The NXP MC33GD3100 Gate Drivers feature advanced functional safety, control, and protection features, making it ideal for automotive and EV powertrain applications (fully AEC-Q100 grade 1 qualified). Integrated galvanic isolation and low on-resistance drive transistors provide high charging and discharging current, low dynamic saturation voltage, and rail-to-rail gate voltage control. Current and temperature sense minimizes IGBT stress during faults. Accurate and configurable under-voltage lockout (UVLO) protects while ensuring sufficient gate drive voltage headroom.