MSCSM70VR1M10CT3AG

Microchip Technology
494-70VR1M10CT3AG
MSCSM70VR1M10CT3AG

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 4   Múltiples: 4
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:
El envío de este producto es GRATUITO

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$250.69 $1,002.76

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.8 V
1.2 kV
- 10 V, + 23 V
Screw Mount
- 40 C
+ 125 C
Marca: Microchip Technology
Id - Corriente de drenaje continua: 241 A
Dp - Disipación de potencia : 690 W
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 9.5 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 700 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
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Atributos seleccionados: 0

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ECCN:
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