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MSCSM120XM50CTYZBNMG

Name: Microchip MSCSM120XM50CTYZBNMG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120XM50CTYZBNMG
Price: 952.87 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

579-M120XM50CTYZBNMG

Fabricante N.º:

MSCSM120XM50CTYZBNMG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD

Hoja de datos:

MSCSM120XM50CTYZBNMG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$952.87	$952.87

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	3-Phase Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Marca:	Microchip Technology
Tiempo de caída:	25 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Dp - Disipación de potencia :	315 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	50 mOhms
Tiempo de subida:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V