MSCSM120AM31CTBL1NG

Microchip Technology
579-SM120AM31CTBL1NG
MSCSM120AM31CTBL1NG

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

Modelo ECAD:
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$154.35 $1,543.50
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250 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
- 55 C
+ 175 C
Marca: Microchip Technology
Configuración: Phase Leg
Tiempo de caída: 25 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 79 A
Dp - Disipación de potencia : 310 W
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 31 mOhms
Tiempo de subida: 30 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MSCSM120x MOSFET Power Modules

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET Power Modules are high-efficiency converters that feature Si3N4 substrate with thick copper for improved thermal performance. These modules offer a low profile, direct mounting to the heatsink (isolated package), an internal thermistor for temperature monitoring, and an extended temperature range. The MSCSM120x modules operate at 1.2kV reverse voltage (VR), -10V to 25V gate-source voltage range (VGS), 310W/560W power dissipation (PD), and 79A/150A continuous drain current (ID). These modules are used in applications such as high-reliability power systems, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, motor control, and AC switches.