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MSCSM120AM027CD3AG

Name: Microchip MSCSM120AM027CD3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120AM027CD3AG
Price: 1184.69 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-120AM027CD3AG

Fabricante N.º:

MSCSM120AM027CD3AG

Fabricante:

Microchip Technology

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	D3
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Microchip Technology
Tiempo de caída:	67 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	733 A
Dp - Disipación de potencia :	2.97 kW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.5 mOhms
Tiempo de subida:	55 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	166 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	56 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V