Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

ISC019N08NM7ATMA1

Name: Infineon ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC019N08NM7ATMA
Price: 4.82 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-ISC019N08NM7ATMA

Fabricante N.º:

ISC019N08NM7ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

ISC019N08NM7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies ISC019N08NM7ATMA1

En existencias: 5,460

Existencias:: 5,460 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$4.82	$4.82
	$3.16	$31.60
	$2.21	$221.00
	$2.02	$1,010.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$2.02	$10,100.00
10,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-TDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	209 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.2 V
Qg - Carga de puerta:	60 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	188 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.3 ns
Serie:	OptiMOS 7
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	ISC019N08NM7 SP006166279

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

ISC019N08NM7ATMA1 Hoja de datos (PDF)

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.