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FP50R12N2T7PB11BPSA1

Name: Infineon FP50R12N2T7PB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP50R12N2T7PB111
Price: 116.12 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-FP50R12N2T7PB111

Fabricante N.º:

FP50R12N2T7PB11BPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module

Hoja de datos:

FP50R12N2T7PB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	3-Phase Inverter
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	50 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Estilo de montaje:	Through Hole
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Alias de las piezas n.º:	FP50R12N2T7P_B11 SP005595806

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MXHTS:: 8541210100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.