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BFR740L3RHE6327XTSA1

Name: Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR740L3RHE6327X
Price: 0.72 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BFR740L3RHE6327X

Fabricante N.º:

BFR740L3RHE6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicn Germanium RF Transistor

Hoja de datos:

BFR740L3RHE6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$0.445	$445.00
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	$0.426	$6,390.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BFR 740L3RH E6327

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.82

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Serie:	BFR740L3
Tipo de transistor:	Bipolar
Tecnología:	SiGe
Polaridad del transistor:	NPN
Frecuencia de trabajo:	40 GHz
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	160
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	4 V
Voltaje VEBO emisor-base:	1.2 V
Corriente continua del colector:	40 mA
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSLP-3
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Dp - Disipación de potencia :	160 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	15000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	BFR 740L3RH E6327 SP000252393
Peso de la unidad:	0.500 mg

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Other

Packaging:PG-TSLP-3-9 | BFR740L3RHE6327XTSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

Infineon-RFTransistor-SPICE.lib-SM-v02_10-EN

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MXHTS:: 85412999
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.