BFP196E6327HTSA1

Infineon Technologies
726-BFP196E6327HTSA1
BFP196E6327HTSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$0.286 $0.29
$0.172 $1.72
$0.134 $13.40
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$0.125 $375.00
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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
BFP 196 E6327
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$0.62
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
BFP196
Si
SOT-143-4
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: BFP 196 E6327 SP000011027
Peso de la unidad: 11.190 mg
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Atributos seleccionados: 0

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MXHTS:
85412999
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

RF Solutions for IoT applications

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