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IXTP150N15X4

Name: IXYS IXTP150N15X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP150N15X4
Price: 13.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTP150N15X4

Fabricante N.º:

IXTP150N15X4

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 150A N-CH HIPER

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

IXTP150N15X4 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$13.68	$13.68
	$13.61	$136.10
	$8.22	$4,110.00
	$7.44	$7,440.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	150 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	105 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	480 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	X4-Class
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	2 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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