ALD310702ASCL

Name: Advanced Linear Devices ALD310702ASCL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD310702ASCL
Price: 15.04 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

585-ALD310702ASCL

Fabricante N.º:

ALD310702ASCL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad P-Channel EPAD Matched Pair

Hoja de datos:

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	$9.06	$4,530.00
	$8.33	$8,330.00
10,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	8 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.14 kOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	180 mV
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Quad
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD31070
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	4 P-Channel
Peso de la unidad:	666 mg

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MXHTS:: 85412101
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

ALD31070x P-Channel EPAD® MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD31070x P-Channel EPAD^® MOSFET Arrays are high-precision monolithic quad p-channel MOSFET arrays. These MOSFET arrays belong to the EPAD^®matched pair MOSFET family. The ALD31070x MOSFET arrays are used for low-voltage and low-power small signal applications with low gate threshold voltages of 0V and -0.2V. These arrays are designed for exceptional matching of electrical device characteristics. Fabricated on the same monolithic chip, the ALD31070x arrays offer excellent temperature tracking characteristics. These MOSFET arrays feature a versatile design for various precision analog applications like current mirrors, matching circuits, and current sources.