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STMicroelectronics PowerMESH Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 19

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT STGF7NB60SL STMicroelectronics 1: $3.22 2,872En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGF7NB60SL N.º de artículo de Mouser 511-STGF7NB60SL	STMicroelectronics	IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stgxx igbt	Hoja de datos	2,872En existencias	$3.22 $1.37 $1.25 $1.07 $0.969	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-220-3 FP
IGBTs N-CHANNEL IGBT STGW30NC120HD STMicroelectronics 1: $8.26 2,395En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGW30NC120HD N.º de artículo de Mouser 511-STGW30NC120HD	STMicroelectronics	IGBTs N-CHANNEL IGBT	Hoja de datos	2,395En existencias	$8.26 $4.21 $3.47	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-247-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp STGD7NB60ST4 STMicroelectronics 1: $4.15 4,997En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGD7NB60ST4 N.º de artículo de Mouser 511-STGD7NB60ST4	STMicroelectronics	IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4,997En existencias	Cinta cortada $4.15 $2.69 $1.86 $1.51 $1.47 Envase tipo carrete $1.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	IGBTs	Si	SMD/SMT	TO-252-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel STP3N150 STMicroelectronics 1: $8.48 1,211En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP3N150 N.º de artículo de Mouser 511-STP3N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel	Hoja de datos	1,211En existencias	$8.48 $4.63 $4.24 $3.91 Ver $3.60 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package STW3N170 STMicroelectronics 1: $8.67 707En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW3N170 N.º de artículo de Mouser 511-STW3N170	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	707En existencias	$8.67 $4.50 $3.67	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3PF-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh STW4N150 STMicroelectronics 1: $10.56 1,240En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW4N150 N.º de artículo de Mouser 511-STW4N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	1,240En existencias	$10.56 $6.34 $5.68 $5.01 $4.51	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp STE40NC60 STMicroelectronics 1: $55.22 30En existencias	N.º de artículo del Fabricante STE40NC60 N.º de artículo de Mouser 511-STE40NC60	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	30En existencias	$55.22 $40.07 $39.23	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	SMD/SMT	ISOTOP-4
IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics 1: $5.97 446En existencias 1,000Se espera el 11/06/2027	N.º de artículo del Fabricante STGB20NB41LZT4 N.º de artículo de Mouser 511-STGB20NB41LZ	STMicroelectronics	IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp	Hoja de datos	446En existencias 1,000Se espera el 11/06/2027	Cinta cortada $5.97 $3.91 $2.91 $2.44 Envase tipo carrete $2.26 $2.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT STGD6NC60H-1 STMicroelectronics 1: $2.81 2,001En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGD6NC60H-1 N.º de artículo de Mouser 511-STGD6NC60H-1	STMicroelectronics	IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT	Hoja de datos	2,001En existencias	$2.81 $1.76 $1.16 $0.922 Ver $0.819 $0.749 $0.72 $0.694	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	IPAK-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH STH3N150-2 STMicroelectronics 1: $8.54 54En existencias 27,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante STH3N150-2 N.º de artículo de Mouser 511-STH3N150-2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	54En existencias 27,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STH3N150-2 Existencias: 54 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 9,000 Se espera el 25/11/2026 18,000 Se espera el 26/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 32 Semanas	Cinta cortada $8.54 $5.32 $4.58 $4.37 Envase tipo carrete $3.50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	H2PAK-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET STP4N150 STMicroelectronics 1: $8.14 56En existencias 5,000Se espera el 13/08/2027	N.º de artículo del Fabricante STP4N150 N.º de artículo de Mouser 511-STP4N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	56En existencias 5,000Se espera el 13/08/2027	$8.14 $4.72 $3.95 $3.61 $3.39	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel STW3N150 STMicroelectronics 1: $7.23 7,200En pedido	N.º de artículo del Fabricante STW3N150 N.º de artículo de Mouser 511-STW3N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel	Hoja de datos	7,200En pedido	$7.23 $3.68 $3.34 $3.02	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp STE53NC50 STMicroelectronics 1: $55.82 395En pedido	N.º de artículo del Fabricante STE53NC50 N.º de artículo de Mouser 511-STE53NC50	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	395En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STE53NC50 Existencias: 0 En pedido: 195 Se espera el 29/01/2027 200 Se espera el 05/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 32 Semanas	$55.82 $40.95	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	SMD/SMT	ISOTOP-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH STFW3N150 STMicroelectronics 1: $7.50 6,600En pedido	N.º de artículo del Fabricante STFW3N150 N.º de artículo de Mouser 511-STFW3N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	6,600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STFW3N150 Existencias: 0 En pedido: 4,200 Se espera el 01/01/2027 2,400 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 34 Semanas	$7.50 $3.56 $2.98 $2.95	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3PF-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package STFW3N170 STMicroelectronics 1: $9.30 1,760En pedido	N.º de artículo del Fabricante STFW3N170 N.º de artículo de Mouser 511-STFW3N170	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package	Hoja de datos	1,760En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STFW3N170 Existencias: 0 En pedido: 860 Se espera el 02/04/2027 900 Se espera el 25/06/2027 Plazo de entrega de fábrica: 34 Semanas	$9.30 $4.82 $4.11 $3.87	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3PF-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH STFW4N150 STMicroelectronics 1: $9.39 900Se espera el 25/06/2027	N.º de artículo del Fabricante STFW4N150 N.º de artículo de Mouser 511-STFW4N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel powermesh mosfets	Hoja de datos	900Se espera el 25/06/2027	$9.39 $4.90 $4.07	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-3PF-3
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp STGE200NB60S STMicroelectronics 1: $41.09 300En pedido	N.º de artículo del Fabricante STGE200NB60S N.º de artículo de Mouser 511-STGE200NB60S	STMicroelectronics	Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stgxx igbt	Hoja de datos	300En pedido	$41.09 $30.15 $26.62	Min.: 1 Mult.: 1	IGBT Modules	Si	Through Hole	ISOTOP-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET STW9N150 STMicroelectronics 1: $13.20 1,199En pedido	N.º de artículo del Fabricante STW9N150 N.º de artículo de Mouser 511-STW9N150	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET	Hoja de datos	1,199En pedido	$13.20 $7.12 $6.38	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-3
IGBTs N Ch 10A 600V STGD10NC60HT4 STMicroelectronics 2,500: $0.887 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STGD10NC60HT4 N.º de artículo de Mouser 511-STGD10NC60HT4	STMicroelectronics	IGBTs N Ch 10A 600V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete $0.887	Min.: 2,500 Mult.: 2,500 : 2,500	IGBTs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)