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TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 326

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta = TDSON-8

Fabricante

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

ISC033N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.43
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5,000Se espera el 10/06/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC033N10NM8ATMA1

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726-ISC033N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

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228En existencias

5,000Se espera el 10/06/2027

Cinta cortada

$4.43

$2.87

$1.98

$1.65

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Envase tipo carrete

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TDSON-8

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.77
501En existencias
5,000Se espera el 31/05/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

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501En existencias

5,000Se espera el 31/05/2027

Cinta cortada

$7.77

$5.10

$3.80

$3.19

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Envase tipo carrete

$2.50

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TDSON-8

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1 Channel

100 V

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
1: $4.69
2,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC16DP15LMATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC16DP15LMATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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2,920En existencias

Cinta cortada

$4.69

$3.02

$1.85

$1.60

Envase tipo carrete

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TDSON-8

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: $3.82
49,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSATMA1

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726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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49,325En existencias

Cinta cortada

$3.82

$2.35

$1.74

$1.40

$1.34

Envase tipo carrete

$1.24

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

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100 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.37
74,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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74,550En existencias

Cinta cortada

$2.37

$1.47

$0.959

$0.754

Envase tipo carrete

$0.504

Ver

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
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19,895En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S51R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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19,895En existencias

Cinta cortada

$3.32

$1.89

$1.46

$1.27

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Envase tipo carrete

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TDSON-8

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100 A

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150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
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NRND

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BSC054N04NS G

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726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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121,241En existencias

Cinta cortada

$1.96

$1.21

$0.794

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Envase tipo carrete

$0.417

Ver

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TDSON-8

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC072N04LDATMA1
Infineon Technologies
1: $2.41
24,183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC072N04LDATMA1

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726-BSC072N04LDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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24,183En existencias

Cinta cortada

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$1.02

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Envase tipo carrete

$0.638

MouseReel Disponible

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2 Channel

40 V

20 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSC150N03LDGATMA1

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726-BSC150N03LDGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9,554En existencias

Cinta cortada

$1.77

$1.11

$0.732

$0.569

$0.473

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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2 Channel

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20 A

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+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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15,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

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726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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15,015En existencias

Cinta cortada

$3.59

$2.20

$1.69

$1.38

$1.30

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.79
8,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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8,096En existencias

Cinta cortada

$1.79

$0.911

$0.641

$0.528

Ver

Envase tipo carrete

$0.432

MouseReel Disponible

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

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44 nC

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69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSI
Infineon Technologies
1: $3.74
24,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N04LSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N04LSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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Hoja de datos

24,837En existencias

Cinta cortada

$3.74

$2.42

$1.66

$1.35

$1.25

Envase tipo carrete

$1.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MSGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.89
9,926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

9,926En existencias

Cinta cortada

$1.89

$1.19

$0.787

$0.615

Envase tipo carrete

$0.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC050N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.67
15,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

15,374En existencias

Cinta cortada

$3.67

$2.25

$1.63

$1.31

$1.22

Envase tipo carrete

$1.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L005ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.98
5,754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L005ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L005

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

5,754En existencias

Cinta cortada

$4.98

$3.04

$2.31

$1.89

$1.78

Envase tipo carrete

$1.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

550 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

136 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1: $3.38
4,828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S4L-22A

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

4,828En existencias

Cinta cortada

$3.38

$2.17

$1.48

$1.25

Envase tipo carrete

$0.998

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPG20N06S4L14AATMA1
Infineon Technologies
1: $2.41
4,240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L14AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N06S4L14AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

4,240En existencias

Cinta cortada

$2.41

$1.63

$1.20

$1.03

Ver

Envase tipo carrete

$0.867

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

13.7 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LS
Infineon Technologies
1: $3.98
26,168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

26,168En existencias

Cinta cortada

$3.98

$2.57

$1.77

$1.43

$1.34

Envase tipo carrete

$1.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

BSC030N03MS G
Infineon Technologies
1: $2.22
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

$2.22

$1.38

$0.902

$0.71

Envase tipo carrete

$0.486

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L012ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.08
3,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3,613En existencias

Cinta cortada

$3.08

$1.86

$1.33

$1.07

$0.962

Envase tipo carrete

$0.898

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.29 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC009NE2LS
Infineon Technologies
1: $2.94
4,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

4,929En existencias

Cinta cortada

$2.94

$1.87

$0.865

Envase tipo carrete

$0.809

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

168 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.67
3,387En existencias

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BSC076N06NS3 G

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726-BSC076N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

BSC084P03NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.57
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BSC084P03NS3 G

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726-BSC084P03NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

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SMD/SMT

TDSON-8

P-Channel

1 Channel

30 V

78.6 A

6.1 mOhms

- 25 V, 25 V

3.1 V

57.7 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.49
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BSC110N15NS5ATMA1

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726-BSC110N15NS5ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

76 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.72
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BSC032NE2LSATMA1

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726-BSC032NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS

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$0.532

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MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

84 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

TDSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

7 A
10.9 A
11 A
11.3 A
15.2 A
16 A
19.6 A
20 A
21 A
22 A
23 A
24 A
25 A
28 A
29 A
31 A
32 A
33 A
36 A
39 A

500 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
910 uOhms
950 uOhms
960 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.12 mOhms
1.13 mOhms
1.15 mOhms

1 V
1.1 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V
3 V
3.1 V
3.15 V
3.2 V

5.6 nC
7 nC
7.4 nC
7.6 nC
8.6 nC
8.7 nC
9 nC
9.1 nC
9.4 nC
9.6 nC
10 nC
10.4 nC
11 nC
11.1 nC
11.6 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.2 nC
13.4 nC

2.5 W
26 W
28 W
29 W
30 W
32 W
33 W
34 W
35 W
36 W
37 W
38 W
41 W
42 W
43 W
46 W
48 W
50 W
51 W
52 W